Beim NPN-Transistor muß die Basis positiver als der Emitter sein. Dieser (Emitter) liegt auf Ground.

Beim PNP-Transistor muß die Basis negativer als der Emitter sein. Dieser (Emitter) wird an Vcc angeschlossen und der Kollektor liegt auf Ground.

Beim NPN-Transistor zeigt die Diode im Emitter nach außen - von der Basis weg..

Beim PNP-Transistor zeigt die Diode nach innen - Richtung Basis.

Damit ein Strom fließen kann muß die Kathode einer Diode negativer als die Anode sein, umgekehrt sperrt die Diode.



P.S. Ein Transistor kann als Verstärker sowohl auch als Schalter eingesetzt werden.

Als Schalter ist die Einstellung eines Arbeitspunktes nicht notwendig.



Sorry, hatte noch einen Fehler eingebaut.

Der Transistor soll ´was machen. Dazu braucht er Energie. Bei npn: Minus an Emitter, Plus an Kollektor; auf Betriebsspannung achten. Der Arbeitspunkt wird an der Basis durch einen Spannungsteiler eingestellt. Der Spannungsteiler besteht im Regelfall aus 2 Widerständen. Das V E R H Ä L T N I S der Widerstände liegt, u.a. abhängig vom Verstärkungsfaktor des T., im Bereich 10:1 bis 100:1. Z.B. 100 Kiloohm vom Kollektor zur Basis, 10 Kiloohm vom Emitter zur Basis. In die Basis wird im Regelfall das zu verarbeitende Signal eingespeist.Bei PNP wird die Polung an Emitter und Kollektor vertauscht. Bei Arbeiten an einer Schaltung soll die "Stromversorgung" abgeschaltet sein, auch die Niederspannung, sonst kann es zu Nachfolgeschäden kommen. Das Beispiel stellt nur Erfahrungswerte für genormte Anwendungen heraus!

Bipolartransistor

Schaltsymbole bipolarer Transistoren

Schaltsymbole bipolarer Transistoren

Alternatives Modell eines Bipolartransistors.

Alternatives Modell eines Bipolartransistors.



Bipolare Transistoren werden durch einen elektrischen Strom angesteuert. Die Anschlüsse werden mit Basis, Emitter, Kollektor bezeichnet. Ein kleiner Strom auf der Basis-Emitter-Strecke führt zu Veränderungen der Raumladungszonen im Inneren des Bipolartransistors und kann dadurch einen großen Strom auf der Kollektor-Emitter-Strecke steuern. Je nach Dotierungsfolge im Aufbau unterscheidet man zwischen npn (negativ-positiv-negativ) und pnp-Transistoren (positiv-negativ-positiv). Dotierung bedeutet in diesem Zusammenhang das Einbringen von Fremdatomen bei dem Herstellungsprozess in eine Schicht des hochreinen Halbleitermaterials um die Kristallstruktur zu verändern.



Die Bezeichnung bipolar leitet sich bei diesem Transistor von dem Umstand ab, dass der Ladungsträgertransport im Transistor sowohl durch bewegliche negative Ladungsträger, den Elektronen, als auch durch positive Ladungsträger, dies sind die ortsfesten Ladungsträger des Atomverbandes welche in einem Halbleiter als Defektelektronen bezeichnet werden, gebildet wird. Bipolare Transistoren sind grundsätzlich immer selbstsperrend: Ohne Ansteuerung mittels eines kleinen Stromes durch die Basis-Emitter-Strecke sperrt der Transistor auf der Kollektor-Emitter-Strecke.



Im Schaltsymbol ist der Anschluss Emitter (E) in beiden Fällen mit einem kleinen Pfeil versehen: Bei einem npn-Transistor zeigt dieser weg vom Bauelement, bei einem pnp-Transistor weist er zu dem Bauelement. Dieser Pfeil beschreibt die elektrische Stromrichtung am Emitter. Der Anschluss in der Mitte ist die Basis (B), der dritte Anschluss der Kollektor (engl.: collector, C). In früheren Jahren wurde manchmal bei den damals oft eingesezten diskreten Transistoren ein Kreis um das jeweilige Symbol gezeichnet, welches das Transistorgehäuse darstellen soll. Das Symbol mit Kreis ist durch die stärkere Verbreitung von integrierten Schaltungen und darauf integrierten Transistoren heute unüblich.



Eine spezielle Form der Verschaltung zweier Bipolartransistoren wird als Darlington-Transistor oder als Darlington-Schaltung bezeichnet. Damit kann eine besonders hohe Stromverstärkung erreicht werden. Weitere Details zu den Besonderheiten und Ansteuerungen finden sich in dem eigenen Artikel über Bipolartransistoren und in der mathematischen Beschreibung des Bipolartransistors. Einfache Schaltungsbeispiele finden sich in dem Artikel über Transistorgrundschaltungen und bei den Ersatzschaltungen des Bipolartransistors.





Spannungs- und Stromverteilung



Diese Schaltung soll nur die Strom- und Spannungsverläufe und ihre Beziehung zueinander darstellen. Grundsätzlich sollte im IB- und im IC-Stromkreis ein strombegrenzender Widerstand eingesetzt sein.

Bitte beachten: Hier gilt die technische Stromrichtung von Plus nach Minus.

Beim PNP-Transistor ist die Polarität der Spannungs- und Stromverteilung genau anders herum. Beim Einsatz ist lediglich auf die Polarität der Betriebsspannung zu achten. NPN-Transistoren werden für positive Spannungen verwendet. PNP-Transistoren werden für negative Spannungen verwendet.



UCE = Kollektor-Emitter-Spannung

UBE = Basis-Emitter-Spannung (Schwellwert)

IC = Kollektorstrom

IB = Basisstrom



siehe >elektronik-kompendium